Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Etudes Structurales (UPR 8011)


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Industriels

ST Microelectronics

Mécanismes fondamentaux et applications aux transistors
Correspondant CEMES : A. Claverie
Type d’aide : Contrats MINEFI (Ministère de l’Economie, de l’Industrie et de l’Emploi), et contrat européen STREP "ATOMIC", BDI STMicro/CNRS.

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Freescale

Fiabilité prédictive des dispositifs de puissance
Correspondant CEMES : M. Legros
Type d’aide : Thèse CIFRE, Projet région impliquant aussi le LAAS

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Soitec

Mécanismes physiques dans le procédé SmartCut et réalisation de substrats avec couche enterrée
Correspondant CEMES : A. Claverie
Type d’aide : Contrat de Recherche Amont, Bourse CIFRE, Contrat ANR

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SAFC Hitech, ASM Microchemistry Oy, Quimonda, ST Microelectronics et NXP

Dépôts par "Atomic Layer Deposition" d’oxydes de terres rares pour des applications innovantes en électronique
Correspondant CEMES : S. Schamm
Type d’aide : Collaboration dans le cadre d’un contrat Européen STREP "REALISE"

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Projet intégré "PULLNANO"

Projet intégré "PULLNANO" : Principes Physiques gouvernant la fabrication des transistors du futur
Correspondant CEMES : A. Claverie
Type d’aide : Projet Intégré de la CE, rassemblant 38 partenaires dont 20 industriels, fabricants ou équipementiers

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Hitachi High Technologies corporation (HHT)

Correspondants CEMES : E. Snoeck et F. Houdellier
Partenariat CNRS et Hitachi High Technologies corporation (HHT) depuis 2014

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