Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Etudes Structurales (UPR 8011)


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ST Microelectronics

Mécanismes fondamentaux et applications aux transistors

 

Correspondant CEMES

A. Claverie

 

Type d’aide

Deux contrats MINEFI (Ministère de l’Economie, de l’Industrie et de l’Emploi), Contrat Européen STREP "ATOMIC", BDI STMicro/CNRS.

 

Résumé

Il s’agit ici de modéliser les phénomènes hors-équilibre, simuler la diffusion et l’activation des dopants dans le Si, le SOI et les alliages Si-Ge, et même cartographier les champs de déplacements dans les transistors à canal contraint.