Toujours
en collaboration avec les chercheurs du laboratoire, je
développe des méthodes
d'interférométrie électronique "classiques",
telles que l'holographie off-axis, afin de réaliser des mesures
de la déformation cristalline. Ce type d'information est en
effet d'une très grande importance aussi bien dans
l'étude des précipités contenus dans une matrice
que pour l'étude des dispositifs utilisés en
microélectronique.
Nous avons en particulier
montré que l'utilisation de l'holographie off-axis dans les
modes de haute résolution permet, par un traitement des phases
géométriques (ou GPA) des taches d'une des deux bandes
latérales de la FFT de l'hologramme, de remonter à une
connaissance d'un champ de déplacement d'une zone cristalline
par rapport à une autre avec une meilleure précision que
dans le cas d'une étude HREM classique.
Une nouvelle approche
interférométrique nous a aussi permis de réaliser
des cartographies extrêmement vastes et précises des
composantes du tenseur des déformations sur des dispositifs
électroniques. Je ne puis en dire trop sur cette technique dans
ce site ouvert à tout le monde, mais sachez que cette technique
fait l'objet d'un brevet CNRS (inventeur : M.J.Hÿtch,
F.Houdellier, F.Hüe et E.Snoeck).
La figure ci-dessous présente
l'hologramme HREM (ainsi que la FFT) d'une couche mince de SiGe/Si
observée suivant l'axe [1-10]. L'analyse GPA de la tache
(000) de la bande latérale permet de remonter à la
différence de potentiel interne alors que la combinaison de
l'information contenue dans les taches (-1-11) et (111) assure la
connaissance du champ de déformation. L'holographie HREM permet
ainsi d'obtenir conjointement les informations chimiques et
structurales sur une même zone.
Holographie électronique pour la mesure de la déformation cristalline :
