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Défauts et mécanismes de déformation
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| Magali Benoit, Daniel Caillard, Alain Couret, Armand
Coujou, Nicolas Combe, Joël Douin, Marc Legros, Colette Levade,
Guy Molénat, Frédéric Mompiou, Joseph Morillo,
Florence Pettinari-Sturmel, Hao Tang, Guy Vanderschaeve |
| A l'échelle nanoscopique, la déformation
plastique des matériaux cristallins s'effectue par nucléation
et mouvement de défauts dans l'arrangement périodiques
des atomes. La mobilité de ces défauts, principalement
des dislocations et des interfaces, est donc le facteur qui détermine
les propriétés mécaniques en fonction de la
contrainte et de la température. On conçoit dans ces
conditions l'importance de connaître la structure des défauts,
et de comprendre leurs mécanismes de déplacement.
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Champ de déplacement d'un dipole de dislocations
vis dans le titane
hcp en conditions periodiques, obtenu par simulation numerique.
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La structure de cœur et la mobilité des
dislocations et des interfaces sont étudiées par des
simulations à l'échelle atomique (ab initio et semi-empiriques),
et par microscopie électronique à transmission et/ou
expériences de déformation "in situ" à
l'intérieur du microscope. Leur comportement est ensuite
modélisé à diverses échelles afin de
retrouver l'origine des propriétés mécaniques
à partir d'une combinaison de mécanismes élémentaires
de plasticité. |
| Les matériaux étudiés
sont des métaux et alliages, des semi-conducteurs, et des
quasicristaux. Des matériaux modèles sont privilégiés
pour l'étude des mécanismes élémentaires.
Une situation particulièrement intéressante est la
plasticité des matériaux à petit grains ou
en couches minces (plasticité en milieu confiné) où
le libre parcours moyen des défauts est très réduit.
Les propriétés mécaniques en sont considérablement
améliorées. Enfin, comme les dislocations jouent un
rôle néfaste dans le fonctionnement des dispositifs
à semi-conducteurs, l'étude de leurs propriétés
physiques contribue à leur élimination. |

Micrographie en champ clair montrant une coupe transverse d’un
film d’aluminium polycristallin de 200nm d’épaisseur,
épitaxié sur du silicium. Notez la présence
d’une unique dislocation dans le grain au centre de l’image.
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Opérations de recherche : |
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Mots-clés :
Dislocations, Interfaces, Propriétés mécaniques,
Déformation plastique, Simulations à l'échelle
atomique, Déformation in situ, Métaux, Alliages, Semi-conducteurs,
Quasicristaux |
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