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Élaboration et caractérisation
de couches minces de relaxeur ferroélectrique pour application
mémoire (FeRAM) Responsables: Ph. Sciau, S. Schamm |
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Les relaxeurs ferroélectriques se distinguent des ferroélectriques classiques par la portée de l’ordre polaire qui ne dépasse pas quelques centaines de nanomètres. Ce caractère local confère à ces matériaux des propriétés particulières présentant un grand intérêt dans l'élaboration de composants pour l'électronique. Sous forme de couches minces, ces matériaux pourraient se révéler être d’excellents candidats pour l’élaboration de mémoire ferroélectrique permanente (ou FeRAM). Sous certaines conditions, et notamment en jouant sur les contraintes à l’interface avec l’électrode, il est possible d’ajuster la longueur de corrélation de l’ordre polaire de manière à obtenir un compromis entre stabilité de la polarisation dans une direction donnée (perte de l’information) et facilité de renversement (responsable des problèmes de vieillissement). Actuellement nous intéressons aux compositions relaxeur
du système BaTiO3-BaZrO3.
Épitaxié sur une électrode d’oxyde SrRuO3,
les couches minces (=?? 100 nm) de ces compositions n’ont
plus la symétrie cubique du massif mais une symétrie
quadratique compatible avec un ordre polaire à longue distance.
La déformation de la maille pourrait favoriser l’alignement
des dipôles et donc conférer une certaine rigidité
à la polarisation macroscopique résultante. Concernant ce dernier point à côté de mesures macroscopiques, nous développerons sur ces composés des mesures de la fonction diélectrique locale par perte d’énergie des électrons (EELS). ________________________________________________________________________________ |