Stages à Toulouse

CEMES - CNRS : Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales

• Dopage de la barrière dans des jonctions tunnel magnétiques

• Microstructure et propriétés mécaniques des fers antiques

• Capillarité à l’échelle du nanomètre

• Etude des fluctuations de conductance de nanotubes de carbone

• Réponse optique de nanostructures constituées d'un grand nombre de nanocolonnes d'argent : rôle du couplage électromagnétique entre objets

• Photoluminescence et absorption optique de nanocristaux de silicium : vers une mesure sur objet unique.

• Auto-organisation de nano-objets dans un cristal liquide.

• Confinement de la lumière dans des nanostructures plasmoniques autoassemblées : Une étude par photomigration moléculaire.

• Holographie électronique de transistors pour la nanoélectronique

• Nanocristaux dans des matrices à forte constante diélectrique pour la fabrication d'une nouvelle génération de mémoires non volatiles

• Propriétés électroniques à deux dimensions :Théorie du magnéto-transport à deux dimensions dans AIP

• Fabrication et caractérisations électriques d’un transistor MOS à un électron à base de nanoparticules de Si dans SiO2

• Micromécanismes de déformation associés à des nanoprécipités dans un alliage à vocation aéronautique

• Etude du transfert thermique dans un four de porte-objet M.E.T. : modélisation par la méthode aux éléments finis et étude expérimentale

• Ordre-désordre et magnétisme dans des îlots de FeRh supportés ou non : simulations numériques ab initio

• Croissance et propriétés de nanostructures à base d’oxyde de zinc

• Contraintes d’épitaxie aux interfaces dans des nanostructures quantiques InAs/AlSb

• Dichroïsme magnétique et mesure locale des moments magnétiques dans un microscope électronique à transmission

• Etude de nanocomposites à base de nanoparticules de MoS2 et WS2, type fullerene, pour application tribologique

• Etude théorique des mécanismes élémentaires du frittage des conducteurs ioniques en présence de champ électrique

• Modélisation discrète des phénomènes microscopiques d’évolution de défauts d’implantation (technologie Smart Cut® SOITEC)

LCAR/IRSAMC : Laboratoire Collisions Agrégats Réactivité.

• Nucléation et thermodynamique des agrégats
• Interférométrie atomique

LCPQ/IRSAMC : Laboratoire de Chimie et Physique Quantiques.

• Nanoparticules carbonées d'intérêt astrophysique: modélisation d'agrégats d'HAP ionisés.

LNCMP : Laboratoire National des Champs Magnétiques Pulsés.

• Etudes par diffraction des rayons X sous champs magnétiques intenses de systèmes magnétiques frustrés

• Tests optiques de l'électrodynamique quantique

• Oscillations quantiques et surface de Fermi des cuprates sous-dopées

LPCNO : Laboratoire de Physique et Chimie des Nano Objets.

• Localisation de nanoparticules pas assemblage convectif/capillaire et contrôle localisé du mouillage

• Fabrication et caractérisations électriques d’un transistor MOS à un électron à base de nanoparticules de Si dans SiO2

• Dépôt électrostatique dirigé de nano-objets en solution sur des substrats de silicium patternés électriquement par microscopie à force atomique (AFM) : développement et application à la réalisation de nanocapacités

• Modélisation discrète des phénomènes microscopiques d’évolution de défauts d’implantation (technologie Smart Cut® SOITEC)

LAAS/CNRS

• Bioconcentrateur d’espèces chimiques et biologiques basé sur les technologies MEMS

• Caractérisation thermique de nanofils à l’aide de sondes fluorescentes

• Immobilisation contrôlée de cellules pour l’AFM

• Hydrophobie et Spectroscopie de Force Chimique

• Développement d’un nanosystème fluidique pour l’analyse de la réplication

Laboratoires Extérieurs

• Caractérisations de dispositifs de protection ESD sur technologie FDSOI.

• Réalisation et caractérisation de diodes à nanofils semi-conducteurs réalisés par croissance CVD pour applications nanoélectronique 3D

• Reprise de contacts et caractérisation du transport dans des couches de graphène

• Etude du transistor TFET (Tunnel Field Effect Transistor) sur SOI

• Développement et étude de points mémoires résistifs à base de polymères organiques en vue de l'intégration dans une architecture de type « cross-bar »

• Optimisation de la résistance d'accès pour des films SOI sub-10nm

• Développement et étude de points mémoires résistifs à base de polymères organiques en vue de l'intégration dans une architecture de type « cross-bar »

• PROPRIETES PHOTONIQUES ET ELECTRONIQUES DE NANOFILS UNIQUES DE SEMICONDUCTEURS

• LASERS ET DETECTEURS A CASCADE QUANTIQUE EN GaN/AlN

• Etude ab initio des propriétés structurales et électroniques des pérovskites à hautes permittivités diélectriques

• Approche ab initio des mécanismes de dégradation des polymères

• Evaluation de la fiabilité des empilements diélectriques High-K/Grille métallique des futures technologies CMOS sur substrat Bulk et SOI

Visites de laboratoires pour les étudiants du master 3N :

• CEMES : Mardi 30 Octobre 17h-18h

• LNMO : Mardi 6 Novembre 11h-12h

• LNCMP : Mardi 6 Novembre 17h-18h

• IRSAMC : Jeudi 8 Novembre 11h-12h

• LAAS : Mardi 20 Novembre 17h -18h