Principes Physiques gouvernant la fabrication des transistors du futur
Correspondant CEMES
A. Claverie
Type d’aide
Projet Intégré de la CE, rassemblant 38 partenaires dont 20 industriels, fabricants ou équipementiers
Résumé
Modélisation de la diffusion et l’activation des dopants dans les structures nanométriques, mesure et maîtrise des contraintes, simulation de l’implantation ionique dans les structures SOI de 10nm.