Mécanismes fondamentaux et applications aux transistors
Correspondant CEMES
A. Claverie
Type d’aide
Deux contrats MINEFI (Ministère de l’Economie, de l’Industrie et de l’Emploi), Contrat Européen STREP "ATOMIC", BDI STMicro/CNRS.
Résumé
Il s’agit ici de modéliser les phénomènes hors-équilibre, simuler la diffusion et l’activation des dopants dans le Si, le SOI et les alliages Si-Ge, et même cartographier les champs de déplacements dans les transistors à canal contraint.